Datos del producto:
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Artículo: | 2 N-tipo de la pulgada 4H | diámetro: | 2inch (50.8m m) |
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Grueso: | 350+/-25um | Orientación: | del eje 4.0˚ hacia el ± 0.5˚ de <1120> |
Orientación plana primaria: | <1-100> ± 5° | Orientación plana secundaria: | 90.0˚ CW del ± plano primario 5.0˚, Si cara arriba |
Longitud plana primaria: | 16 ± 2,0 | Longitud plana secundaria: | 8 ± 2,0 |
Alta luz: | oblea del carburo de silicio de 2 pulgadas,substrato de 2 pulgadas sic,oblea del carburo de silicio de 50.8m m |
Oblea de semiconductor termal excelente del substrato de las propiedades mecánicas sic sic
El carburo de silicio (sic) es un compuesto binario del grupo IV-IV, él es el único compuesto sólido estable en grupo IV de la tabla periódica, él es un semiconductor importante. Sic tiene propiedades termales, mecánicas, químicas y eléctricas excelentes, que lo hacen para ser la que está de los mejores materiales para hacer los dispositivos electrónicos des alta temperatura, de alta frecuencia, y de alta potencia, sic también puede ser utilizado como material del substrato para los diodos electroluminosos azules GaN-basados. Actualmente, 4H-SiC es los productos de la corriente principal en el mercado, y el tipo de la conductividad se divide en tipo semiaislante y tipo de N.
Propiedades:
Artículo | 2 N-tipo de la pulgada 4H | ||
Diámetro | 2inch (50.8m m) | ||
Grueso | 350+/-25um | ||
Orientación | del eje 4.0˚ hacia <1120> el ± 0.5˚ | ||
Orientación plana primaria | <1-100> ± 5° | ||
Plano secundario Orientación |
90.0˚ CW del ± plano primario 5.0˚, Si cara arriba | ||
Longitud plana primaria | 16 ± 2,0 | ||
Longitud plana secundaria | 8 ± 2,0 | ||
Grado | Grado de la producción (p) | Grado de la investigación (r) | Grado simulado (d) |
Resistencia | 0.015~0.028 Ω·cm | < 0=""> | < 0=""> |
Densidad de Micropipe | ² del ≤ 1 micropipes/cm | ² del ≤ 1 0micropipes/cm | ² del ≤ 30 micropipes/cm |
Aspereza superficial | Ra del CMP de la cara del Si <0> | Área N/A, usable el > 75% | |
TTV | < 8="" um=""> | < 10um=""> | < 15="" um=""> |
Arco | <> | <> | <> |
Deformación | < 15="" um=""> | < 20="" um=""> | < 25="" um=""> |
Grietas | Ninguno | ≤ acumulativo de la longitud 3 milímetros en el borde |
Longitud acumulativa ≤10mm, solo ≤ 2m m de la longitud |
Rasguños | rasguños del ≤ 3, acumulativos longitud < 1=""> | rasguños del ≤ 5, acumulativos longitud < 2=""> | rasguños del ≤ 10, acumulativos longitud < 5=""> |
Placas del hex. | placas del máximo 6, <100um> | placas del máximo 12, <300um> | Área N/A, usable el > 75% |
Áreas de Polytype | Ninguno | ≤ acumulativo el 5% del área | ≤ acumulativo el 10% del área |
Contaminación | Ninguno |
Ventaja:
suavidad 1.High
el hacer juego de enrejado 2.High (MCT)
densidad de dislocación 3.Low
transmitencia infrarroja 4.High
Tiros del producto:
FAQ:
1.Q: ¿Es usted fabricante de la fábrica?
: Sí, somos fabricante con 13 años de experiencia en la industria cristalina del scintillator y suministramos muchas marcas famosas buena calidad y servicio.
2.Q: ¿Dónde está su mercado principal?
: Europa, América, Asia.
Persona de Contacto: Ivan. wang
Teléfono: 18964119345